RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
62
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.8
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2.8
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
60
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
2.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
1505
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link