RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
62
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.6
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
51
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2248
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Inmos + 256MB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link