RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
68
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
68
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2007
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link