Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 17.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 62
    Wokół strony -121% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    14.5 left arrow 1,843.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    23400 left arrow 6400
    Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    62 left arrow 28
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,556.6 left arrow 17.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,843.6 left arrow 14.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    542 left arrow 3419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania