RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
62
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2231
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link