RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
62
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.9
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2231
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link