RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
62
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3372
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link