RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
62
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.9
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
19.9
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3372
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link