RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1254
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link