RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
27
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
17
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3863
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link