RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3509
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link