RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
16.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2699
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link