RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3418
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link