RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2399
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kllisre 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link