RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2543
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link