RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2757
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link