RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3346
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link