RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2370
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link