RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3653
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link