Porównanie pamięci RAM Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Wynik ogólny

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 34

Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

16.7 16.4

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2756 2616

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns