RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2854
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link