RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2347
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link