RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3026
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link