RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2739
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link