RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2768
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KP223C-ELD 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link