RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2618
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link