RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
45
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
45
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
10.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2142
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link