RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
60
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
60
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2511
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link