RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB vs Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
6.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR5
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.3
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2256
3392
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin 991556 (996556) 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5402-027.A01LF 2GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link