Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    35 left arrow 55
    Wokół strony 36% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    19 left arrow 9.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 7.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 17000
    Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    35 left arrow 55
  • Prędkość odczytu, GB/s
    9.8 left arrow 19.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.9 left arrow 9.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2126 left arrow 2239
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania