RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
40
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.2
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2124
2031
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link