RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
27
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
11.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2545
2880
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link