RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
40
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
40
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2204
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Crucial Technology C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link