RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
34
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
3628
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link