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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
34
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
3628
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
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