RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
24
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
3562
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link