RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
24
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
18.4
Скорость записи, Гб/сек
5.8
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3562
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link