RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
34
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
3091
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link