RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
34
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
23
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
17.8
Скорость записи, Гб/сек
5.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3091
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link