RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
34
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
31
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2538
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link