RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
13.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
45
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
13.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2987
3027
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link