RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Сравнить
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB против G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
45
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
13.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.2
Скорость записи, Гб/сек
13.0
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2987
3027
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link