RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
34
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
31
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2320
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link