Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

34 38

Wokół strony 11% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

13.9 8.6

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

10.5 5.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 10600

Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1682 2400

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns