Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    34 left arrow 41
    Wokół strony 17% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.8 left arrow 8.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.2 left arrow 5.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 10600
    Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    34 left arrow 41
  • Prędkość odczytu, GB/s
    8.6 left arrow 12.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    5.8 left arrow 9.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1682 left arrow 2238
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania