RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
41
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2238
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link