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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
41
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
9.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1682
2238
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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