RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
106
Wokół strony 74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
106
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
1252
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link