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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
106
Por volta de 74% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
12.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
106
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
5.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
1252
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
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Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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