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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
106
Por volta de 74% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
12.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
106
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
5.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
1252
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
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