RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2968
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link