RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3209
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link